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VNS14NV04P-E(意法）
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VNS1NV04DP-E(意法）
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当输入电压突然由+VF变为-VR时P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐渐减少：在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流IR，如下图所示；与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，PN结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，PN结的电阻仍很小，与RL相比可以忽略，此时反向电流IR=（VR＋VD）/RL。VD表示PN结两端的正向压降，一般VRVD，即IR＝VR／RL。